SiC肖特基二極管能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能。做為單子器件，它的工作過(guò)程中沒(méi)有電荷儲(chǔ)存，因此它的反向恢復(fù)電流僅由它的耗盡層結(jié)電容造成，有正向恢復(fù)電壓其反向恢復(fù)電荷以及其反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。更重要的是，和它匹配的開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通損耗也可以得到大幅度減少，因此提高電路的開(kāi)關(guān)頻率。另外，碳化硅它幾乎沒(méi)它幾乎沒(méi)有正向恢復(fù)電壓，其它結(jié)合劑相較粘土結(jié)合的碳化硅，因而能夠立即導(dǎo)通，不存在雙極型器件的開(kāi)通延時(shí)現(xiàn)象。在常溫下，其正態(tài)導(dǎo)通壓降和Si超快恢復(fù)器件基本相同，這將有利于將多個(gè)SiC肖特基二極管并聯(lián)。在二極管單芯片面積和電流受限的情況下，這可以大幅度提高SiC肖特基二極管的容。

　　SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。碳化硅在日本，羅姆、新日本無(wú)線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管。碳化硅很多企業(yè)在開(kāi)發(fā)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和JBS結(jié)構(gòu)二極管。目前，SiC二極管已經(jīng)存在600V~1700V電壓等級(jí)和50A電流等級(jí)的產(chǎn)品。