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碳化硅和金剛石在MEMS上的應(yīng)用
文章出處：原創(chuàng)
責(zé)任編輯：admin
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發(fā)表時間：2016-06-14 15:11
目前，MEMS的應(yīng)用很大程度上受限于材料的物理特性，如硅基MEMS限制旗艦只能工作于200℃的低磨損環(huán)境和良好的化學(xué)環(huán)境中，因此，需要尋找可替換的材料來拓展MEMS的惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。廣義上講，惡劣的環(huán)境是指由于電學(xué)、機(jī)械和化學(xué)特性而使硅材料受限的所有情況，包括高溫、高輻射、高磨損以及強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的化學(xué)環(huán)境等。因此，這種替代對制造工藝提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，如微機(jī)械加工要求用化學(xué)和機(jī)械工藝將不需要的材料去掉。一般而言，寬禁帶的半導(dǎo)體材料包括碳化硅（SIC)和金剛石，都具有惡劣環(huán)境下的應(yīng)用所要求的電學(xué)、機(jī)械和化學(xué)特性，但是缺少相關(guān)的加工工藝，這些材料直到最近才實現(xiàn)了在MEMS上的一些應(yīng)用。
