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碳化硅是最早觀察到電發(fā)光的半導(dǎo)體
文章出處：原創(chuàng)
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發(fā)表時(shí)間：2016-06-14 15:11
碳化硅是第一個觀察到電發(fā)光的半導(dǎo)體，它是一種很硬的材料，它的晶體屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)。對于它的研究大部分是在多晶材料或多晶塊中挑選出來的小晶體上進(jìn)行的。它有多種晶型（有立方碳化硅或六角晶形），隨著晶型的不同，帶隙度寬在2-3eV之間。6H碳化硅的帶隙寬度為2.98eV，且隨溫度升高而減少，其溫度系數(shù)為3.3*0.0001eV/度。碳化硅是一種間接躍遷半導(dǎo)體，可以在其中摻入作為發(fā)光中心的雜質(zhì)來實(shí)現(xiàn)發(fā)光，通過雜質(zhì)的選擇，碳化硅可以發(fā)藍(lán)、綠、黃光。6H碳化硅中雜質(zhì)的能級和相應(yīng)的電發(fā)光管溝屬間接躍遷型。
碳化硅在90-1000K溫度范圍內(nèi)的遷移率具有與其他大多數(shù)半導(dǎo)體不同的行為。N型材料的霍爾遷移率在200K時(shí)約具有10c㎡/V.s的極大值，在1000K時(shí)大約降到2.5c㎡/V.s、90K時(shí)接近于零；P型材料的極大值不明顯，200K時(shí)的遷移率值為70c㎡/V.s，1000K時(shí)為30c㎡/V.s。
碳化硅在90-1000K溫度范圍內(nèi)的遷移率具有與其他大多數(shù)半導(dǎo)體不同的行為。N型材料的霍爾遷移率在200K時(shí)約具有10c㎡/V.s的極大值，在1000K時(shí)大約降到2.5c㎡/V.s、90K時(shí)接近于零；P型材料的極大值不明顯，200K時(shí)的遷移率值為70c㎡/V.s，1000K時(shí)為30c㎡/V.s。
