碳化硅晶須是一種纖維狀單晶體，橫斷面近乎一致，內(nèi)外結(jié)構(gòu)高度完整，其長(zhǎng)經(jīng)比為5-1000，直徑為20-100μm.質(zhì)量好的晶須是一種接近理想狀態(tài)下生產(chǎn)的單晶，其純度很高，晶須的晶體結(jié)構(gòu)較完整，所含缺陷少，其強(qiáng)度接近于完整晶體的理論值。

早在1661年，Robert Boyle 在其專著當(dāng)中論述過(guò)金屬銀晶須的自發(fā)生產(chǎn)問(wèn)題。近年易有近百種晶須工業(yè)產(chǎn)品被陸續(xù)開(kāi)發(fā)出來(lái)，如金屬、氧化物、碳化物、氮化物等晶體，其中，高硬度無(wú)機(jī)晶須（如SIC，SI3,N4,AL203等）具有可控生長(zhǎng)的特性，可促進(jìn)低維材料的發(fā)展，并為高韌性復(fù)合材料的制造提供了新的途徑。密度

碳化硅的晶須（SICW）通常呈黃綠色或灰綠色，SICW直徑為0.2-1.5μm，粗晶須直徑為3-5μm；長(zhǎng)度為幾十至幾百微米，最長(zhǎng)約5000μm。SICW密度為3.2g/cm3，荷重軟化溫度1600℃，

熔點(diǎn)2690℃。

常見(jiàn)的SICW如圖：Β-SiCWSEW圖像